半導(dǎo)體芯片表面的集成電路也被稱為薄膜集成電路。另一種厚膜集成電路是由獨(dú)立的半導(dǎo)體設(shè)備和被動(dòng)件組成，在集成到襯底或電路板上。芯片廠家在出廠芯片之前需要進(jìn)行環(huán)境測(cè)試，模擬芯片在氣候環(huán)境中的操作和儲(chǔ)存適應(yīng)性，確保芯片在極端環(huán)境下正常工作。下面作者帶大家一起了解芯片使用高低溫試驗(yàn)箱進(jìn)行整個(gè)芯片測(cè)試的過程吧！

　　1.在芯片樣品處于斷電的狀態(tài)下，先將高低溫試驗(yàn)箱內(nèi)的溫度降至-50℃，保持4小時(shí)，切記不能在通電狀態(tài)下進(jìn)行低溫試驗(yàn)，這一點(diǎn)尤為重要，因?yàn)樾酒旧碓谕姞顟B(tài)下會(huì)產(chǎn)生+20℃以上的溫度。因此，在通電狀態(tài)下，更容易通過低溫試驗(yàn)，必須先將其進(jìn)行冷凍，然后再進(jìn)行通電試驗(yàn)。

 

　　2.對(duì)樣品進(jìn)行常規(guī)的性能測(cè)試，然后與常溫下的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。

 

　　3.對(duì)樣品進(jìn)行老化測(cè)試，然后對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比。

 

　　4.在進(jìn)行高溫測(cè)試時(shí)先將高低溫試驗(yàn)箱內(nèi)的溫度加熱至+90℃，保持4小時(shí)。與低溫試驗(yàn)恰好相反，高溫測(cè)試加熱過程中不對(duì)芯片樣品進(jìn)行斷電，需要維持芯片內(nèi)部的高溫溫度。

 

　　5.高溫測(cè)試與低溫測(cè)試分別重復(fù)10次。如果測(cè)試過程中出現(xiàn)任何異常工作狀態(tài)，則視為測(cè)試失敗。

 

　　高低溫試驗(yàn)主要是對(duì)不同半導(dǎo)體材料進(jìn)行溫度試驗(yàn)的過程，可調(diào)節(jié)流量，提供相應(yīng)的試驗(yàn)結(jié)果。專業(yè)芯片測(cè)試需要專業(yè)的高低溫試驗(yàn)箱設(shè)備進(jìn)行，測(cè)試主要為芯片行業(yè)提供恒定的高溫?zé)嵩春偷蜏乩湓?，確保芯片行業(yè)試驗(yàn)工作的穩(wěn)定運(yùn)行。